第三季晶体硅(C-Si)锭到模块(Ingot-to-module)与薄膜太阳能电池(Thin Film)的资金支出超过29亿美金，使设备支出达到了高点。特别是主要晶体硅(C-Si) 工艺设备如蚀刻，扩散，钝化层沉积与印刷等项目季度支出均超过了1亿2千万美金。而无论是晶体硅或薄膜电池均呈现扩张趋势，估计到了第四季产能增加将达到1.3GW。

　　Solarbuzz资深分析师Finlay Colville评论道：“2010年中国大陆与台湾的晶体硅(C-Si) 电池厂商受到太阳能下游需求的刺激，正在以史无前例的速度扩张。这一波的产能扩张致使设备支出达到了季度新高，从光伏产业领先的工艺设备厂商2010年上半年高营收财报也反映了这个现象。”

　　Colville补充道：“欧洲与北美合格的晶体硅工艺设备厂商受益于中国大陆与台湾晶体硅电池厂商产能扩张所带来的庞大商机，而薄膜电池设备支出的增长则被分散到太阳能吸热板、基板、供应链以及不同制造区域中。”

　　晶体硅厂商带动了2010年第三季度产能扩张

　　2010年第三季度产能扩张主要来自于晶体硅(C-Si)电池生产技术，这也反映了晶体硅电池制造已经进入了一个成熟的阶段。在第三季度增加的1.12GW产能中，晶体硅(C-Si) 占有95%份额，而薄膜电池板仅贡献5%。

　　此外，在增加的产能中中国大陆与台湾电池厂商占据了80%的份额，标准化晶体硅制程占有领先地位，显示厂商恢复偏好成熟工艺与低风险生产流程。第三季度标准化产线占据了新晶体硅产能的78%，高效电池占据了22%。而领先的晶体硅制造商继续加强在高效能电池的生产，估计此类高效电池产能增加了221MW。

　　2010年第三季度晶体硅(C-Si) 电池设备支出金额达8亿5千2百万美金

　　继2010年第二季度高达8亿9千8百万美金设备支出之后，第三季度晶体硅电池生产线的设备支出达至8亿5千2百万美金，仅较上一季度下幅5%。主要支出由现有电池制造商所主导，这些厂商有China Sunergy, DelSolar(旺能), Gintech(昱晶), JA Solar, Motech(茂迪), Suntech(尚德)与Solartech，以及中国新的进入者如Hareon Solar, Jinko Solar, LDK Solar 与 ReneSola也做出了很大的贡献。在过去12个月当中，中国大陆与台湾厂商共占有晶体硅电池设备支出的72%。同时由于厂商主要采用标准化制程，使得设备厂商如Applied Materials, Amtech, Centrotherm, Despatch, 与 Roth

　　Rau等受益匪浅。

　　由于新一轮薄膜电池投资高峰到来，使得薄膜设备支出季度增长达到53%。不过由于不同设备工艺选择及供应链差异，设备支出成长分布仍是较分散的。其中CIGS设备支出超过2亿美金，年度成长率达165%，也是促使薄膜电池投资支出增长因素之ㄧ。

　　我们估计2010年第四季度晶体硅电池设备支出仍然相当乐观，不过成长率趋于平稳向下状态。相反地，薄膜电池设备支出仍将向上增长。然而，由于领先电池与组件厂商的过度扩产可能导致产能过剩，2011年光伏设备支出将有可能较2010年下滑。