我国半导体照明技术和产业发展步入快车道

　　 半导体照明(LED)是由第三代半导体材料制作的光源和显示器件，具有耗电量小、寿命长、无污染、色彩丰富、可控性强等特点，是照明光源及光产业的一次革命。

　　 从“十五”开始，科技部率先支持了半导体照明技术和产业的发展。2003年，面对照明技术的革命和新兴产业的巨大潜力，科技部启动了国家半导体照明工程。通过科技攻关计划、863计划、科技支撑计划等国家科技计划，持续支持半导体照明的技术创新和产业发展。

　　 我国半导体照明产业从无到有，逐步发展壮大，制约产业转型升级的关键技术取得重大突破，产业核心技术研发与创新能力快速提高，形成了上游外延芯片、中游器件封装、下游集成应用较为完善的技术创新链和具备较强国际市场竞争力的产业链。

　　 半导体照明产业作为我国战略性新兴产业，受到国家层面的高度重视与支持。2009年，为推动我国半导体照明节能产业健康有序发展，促进节能减排，国家发展改革委、科技部、工业和信息化部、财政部、住房城乡建设部、国家质检总局联合印发了《半导体照明节能产业发展意见》，从国家层面统筹规划，稳步提升半导体照明产业发展水平。

　　 与此同时，科技部启动了“十城万盏”半导体照明应用工程试点工作，分两批批复了37个“十城万盏”试点城市，以应用促发展，推动了技术集成和创新应用，促进了市场机制和商业模式的形成。

　　 近年来，我国半导体照明技术和产业发展步入快车道，已成为全球发展最快的国家之一。

　　 科技支撑培育形成了良好的产业发展基础

　　 目前，我国已建立了完整的研发体系，初步形成了上游外延材料与芯片制备、中游器件封装及下游集成应用的比较完整的技术创新链。

　　 在国家科技计划的持续支持下，促进了上下游的实质性合作，部分核心关键技术取得突破。2010年，我国产业化大功率LED芯片光效超过100lm/W，与国际先进水平差距缩小到2～3年;封装达到国际先进水平(120~130lm/W);在国际上首次推出了具有自主知识产权的Si衬底LED芯片，光效超过90lm/W，已实现产业化;下一代核心技术方面，我国与国际站在了同一起跑线上，如深紫外LED器件的研发处于国际领先水平。