报导指出，三星电子计画于10月底前停止在美国德州奥斯丁(Austin)半导体工厂内生产使用8寸晶圆的DRAM，加上三星电子已于今年初停止京畿道华城工厂的8寸晶圆DRAM生产，故待奥斯丁工厂停止生产后，三星电子的DRAM生产将全数转为使用12寸晶圆。

　　彭博社曾于日前转述韩国网路媒体“E-Daily”报导指出，三星电子拟在停止奥斯丁工厂的DRAM生产后，投下5亿美元(约473亿日圆)改良生产线，于明(2010)年后半开始生产NAND Flash。