新型Si7137DP具有1.9 mΩ(在10 V时)、2.5 mΩ(在4.5 V时)和3.9 mΩ(在2.5 V时)的超低导通电阻。TrenchFET第三代MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而确保器件可以比之前市面上p通道功率MOSFET更低的功耗执行切换任务。

　　Si7137DP将用作适配器开关，用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器开关(在适配器/墙壁电源和电池电源间切换)一直处于导通状态，消耗电流。Si7137DP的低导通电阻能耗低，节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。

　　对于使用20V器件足够的应用，Si7137DP令设计人员无须依赖30V功率MOSFET，直到最近30V功率MOSFET才成为具有如此低导通电阻范围的唯一p通道器件。最接近的同类20V p通道器件具有12-V以上的栅极至源极额定值，在4.5V栅极驱动时导通电阻为14 mΩ，且没有10V栅极至源极电压的特点。在同类30V器件中，采用SO-8封装尺寸的最低p通道导通电阻在10V及4.5V时分别为3.5 mΩ和6.3 mΩ，约为Si7137DP的一倍。

　　Vishay将在2009年发布具有各种额定电压及封装选择的其他p通道TrenchFET第三代功率MOSFET。今天发布的该器件100%通过Rg和UIS认证，且不含卤素。

　　目前，新型Si7137DP TrenchFET功率MOSFET可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为10至12周。