就目前来看，SanDisk和东芝都已经加大了43纳米器件的投入。最新的43纳米产品都采用了每单元4比特(X4)的技术。在产业策略研讨会(ISS)上的发言中，SanDisk公司的总裁兼首席运营官SanjayMehrotra表示，从2009年年中，SanDisk将出货32纳米的器件，主要采用每单元2比特(X2)和每单元3比特(X3)技术。

　　随后，SanDisk和东芝宣布将采取更为领先的技术。相比之下，英特尔-美光两家公司近日推出了34纳米的NAND产品。市场的领先者三星电子公司(SamsungElectronicsCo.Ltd.)一直提供42纳米的器件。

　　不过市场是否对NAND真的有需求？一段时间，NAND一度因为产能过剩，陷入衰退困境。Mehrotra表示，“2008年是一个非常有挑战的一年，不过2009年还会延续这种状态。”他表示，为了解决这一问题，厂商必须“管理好符合预期需求的供货问题。”

　　SanDisk和东芝都已采取了措施。东芝近日宣布了一项针对其日本四日市(Yokkaichi)工厂NAND闪存生产的调整，该项调整减少了产能近30%，并将于2009年1月开始生效。SanDisk和东芝公司在日本曾合资成立一家从事NAND闪存生产的合资工厂。

　　他表示，除非有意向之外的事情发生，市场还是有几个潜在的增长点，如NAND、附加卡、固态硬盘(SSD)等。

来源: 国际电子商情