SAIT总裁Kinam Kim上午发表了主题演讲，介绍了该研究所的石墨烯FET最新开发成果。Kim表示，该研究所使用直径150mm的硅基板制作了栅长180nm的石墨烯FET，并验证能以202GHz的截止频率工作。石墨烯的成膜采用了半导体制造技术，以及亲和性较高的电浆辅助方式低温CVD法，成膜温度为650℃。Kim称，已经确立了采用该方法使单层石墨烯均匀成膜的技术。载流子迁移率达到了1万3000cm2/Vs。

　　关于石墨烯FET，Kim在演讲中表示，“作为高速高频信号处理元件，配备了较高的电位，还可与Si-CMOS电路融合。今后估计还可能在与硅元件相同的基板上一同集成石墨烯FET以及自旋电子学元件等”。另外，SAIT将在此次的IEDM上发布Kim介绍的成果详情。

　　IBM发布了与美国麻省理工学院(MIT)的共同研究成果。二者共同研究出了在SiC基板上形成的栅长240nm石墨烯FET，并验证其截止频率为230GHz。石墨烯通过热处理SiC基板而成膜。研究小组还制作出了栅长100nm以下的石墨烯FET，栅长90nm的元件截止频率为170GHz。据IBM介绍，截止频率比栅长240nm的元件低是因为，目前仍无法确立尺寸较短的栅极电极的自调整形成工艺，以及无法利用栅极电极控制的电场通道占到了栅长的一半。如果能够克服这些问题，栅长90nm的元件“截止频率可提高至300G～400GHz”(IBM的发布人Y.Q.Wu)。