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应用材料研发出最新硅通孔刻蚀技术
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发布日期：[2010-12-6]    共阅[2758]次　中国电气市场采购网[EM39.com]　{鼠标双击自动滚屏}
      应用材料在SEMICON Japan上发布了基于Applied Centura Silvia刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40%，快速形成平滑、垂直且具有高深宽比的通孔结构。新系统首次将每片硅片的通孔刻蚀成本降低到10美元以下，帮助芯片制造商将先进的3D-IC设计引入市场，进而推动未来高性能移动器件的发展。
　　应用材料公司副总裁兼刻蚀事业部总经理Ellie Yieh表示：“长期以来，成本因素一直是限制推广TSV这一重要技术的主要障碍。全新的Silvia系统体现了应用材料公司在聚焦新技术开发、降低TSV制造成本方面所作的努力。Silvia系统无可匹敌的性能得到了我们客户的高度认可，该系统能帮助他们将TSV技术用于大规模的生产。”
　　新的超高密度等离子源能将Silvia系统的硅刻蚀速率提高40%，同时保持系统标志性的精确轮廓控制和平滑垂直的通孔侧壁，这对于后续的高质量覆盖和填充薄膜的沉积具有至关重要的意义。此外，Silvia系统一流的速度和精确度使其成为其它成本敏感型3D-IC封装应用的理想选择，譬如“通孔呈现刻蚀”，它需要快速、高度一致地从硅片背面去除大量的硅。
　　根据市场研究公司Gartner Dataquest的报告，从2009年全球系统出货收入来看，应用材料公司在TSV刻蚀和硅片级封装两个市场均排名第一。应用材料公司是唯一一家拥有完整机台系列可以涵盖所有TSV制造流程的公司，包括刻蚀、CVD、PVD、ECD、硅片表面预处理和CMP。应用材料公司的Maydan技术中心具有独特的验证完整工艺流程的能力，从而帮助客户降低风险，加快客户探索进程，确保从研发到量产的顺利过渡。
 
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