2009年12月28日，在新落成的大尺寸功率半导体器件研发及产业化基地(简称“三线”)大厅，南车时代电气股份有限公司电力电子事业部举行了隆重的建成投产庆祝仪式。株洲市委常委、组织部长程绍光莅临庆典现场，并盛赞新基地的建成意义重大，时代人完成了又一次大的跨越，是时代人不断进取，勇于创新精神的显著体现。程部长同时表达了对公司发展前景的殷切希望：充分利用已建成的一流产业平台，继续加快自主创新步伐，积极面向全新未来，加快迈进世界大功率半导体器件行业前三强的步伐。

　　为了满足我国轨道交通、智能电网、新能源等国民经济发展重要领域对高压大电流晶闸管、高压大功率IGBT、IGCT等电力电子器件的强大需求，提升国家电力电子产业的技术水平，2007年南车时代电气投资3.5亿，启动了大尺寸功率半导体器件研发及产业化基地建设。项目占地60亩，总建筑面积为22000平方米。该线采用了世界顶尖级的工艺和测试设备，主要生产6英寸、5英寸高压大电流晶闸管和整流管，满足高压/特高压直流输电项目的需要。同时，公司还投资近8000万元在该线建成了IGBT模块封装和测试生产线，形成年产6万只模块的生产能力，重点为我国轨道交通、智能电网提供国产化的IGBT模块，打破国外公司长期以来在IGBT技术及产品上的封锁，推动我国变流技术的健康、快速发展。

　　出席庆典仪式的有工信部电子信息司副司长关白玉等部委领导，国家电网公司直流建设分公司副总经理常浩、总工程师袁清云等客户代表，湖南省科技厅副厅长张占军、株洲市科技局、质监局等省市领导也应邀出席会议。中国电器工业协会电力电子分会秘书长肖向锋代表行业同仁出席会议。电力机车研究所株洲所领导及相关主体和南车时代电气负责人等协同参加仪式。

　　电力机车研究所所长丁荣军在发言中谈道：“公司电力电子产业也已经走过了近半个世纪，在公司同心多元化战略的指引下，已从单一的普通器件技术，发展到同时具备高压大电流器件、IGCT、IGBT等技术的行业先锋;服务领域从单纯的电力机车发展到智能电网、轨道交通等关乎国民经济发展的重要领域;产业版图横跨中国株洲至英国林肯，市场占有率和影响力稳步提升，大功率半导体器件的技术水平跻身国际先进行列。而新基地的如期完工，在公司科研、生产发展史上更具有里程碑式的重大意义，必将对我国半导体行业技术和制造能力的发展起到积极推进作用。”

　　与会的部委领导、行业代表及客户代表等相继发言，共同为新基地的建成投产献上祝福，株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部将以此为新的起点，加大自主创新力度，加快资源优势转换进程，为中国电力电子产业发展及技术升级作出贡献。